您的位置：電源在線首頁(yè)>>行業(yè)資訊>>新品速遞>>Zetex推出3款N信道強(qiáng)化型MOSFET 可在1.8VGS下提供低損耗開(kāi)關(guān)功能(圖)正文

Zetex推出3款N信道強(qiáng)化型MOSFET 可在1.8VGS下提供低損耗開(kāi)關(guān)功能(圖)

　　Zetex Semiconductors推出3款針對(duì)可用驅(qū)動(dòng)電壓有限應(yīng)用而設(shè)計(jì)的N信道強(qiáng)化型MOSFET。

　　這3款新器件分別為20V的ZXMN2B03E6(SOT236封裝)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(兩者均屬SOT23封裝)。它們可在1.8VGS下提供低損耗開(kāi)關(guān)功能，因此能以?xún)蓚�(gè)1.2V電池或一個(gè)鋰電池驅(qū)動(dòng)。其閘驅(qū)動(dòng)超低，可直接通過(guò)邏輯閘來(lái)驅(qū)動(dòng)。

　　Zetex保證3款新MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，在1.8VGS下分別低于75m、100m和200m，在4.5VGS下則低于40m、55m和100m，在低電壓應(yīng)用中大派用場(chǎng)，例如高端斷線開(kāi)關(guān)的電平位移、升壓轉(zhuǎn)換器電路的外部開(kāi)關(guān)，以至低電壓微控制器和馬達(dá)、螺絲管等負(fù)載的緩沖等。

　　快迅開(kāi)關(guān)是Zetex專(zhuān)有UMOS技術(shù)另一主要特點(diǎn)。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A情況下的上升和下降時(shí)間僅為3.6ns及10.5ns。

   免責(zé)聲明：本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無(wú)關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
編輯：news

關(guān)于該條新聞資訊信息已有0條留言，我有如下留言：

請(qǐng)您注意：
·遵守中華人民共和國(guó)的各項(xiàng)有關(guān)法律法規(guī)
·承擔(dān)一切因您的行為而導(dǎo)致的法律責(zé)任
·本網(wǎng)留言板管理人員有權(quán)刪除其管轄的留言?xún)?nèi)容
·您在本網(wǎng)的留言?xún)?nèi)容，本網(wǎng)有權(quán)在網(wǎng)站內(nèi)轉(zhuǎn)載或引用
·參與本留言即表明您已經(jīng)閱讀并接受上述條款

驗(yàn)證碼：

用戶名： 密碼： 匿名留言   免費(fèi)注冊(cè)會(huì)員