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英飛凌新一代MOSFET節(jié)能器件推出

　　英飛凌科技股份公司日前在2006年全球電源系統(tǒng)展會（Power Systems World 2006）上，發(fā)布應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導(dǎo)通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

　　作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先廠商，（IMS Research市場研究公司，2006年9月），英飛凌設(shè)計(jì)出了專門用于提高低壓電源轉(zhuǎn)換器性能的OptiMOS3產(chǎn)品家族。該產(chǎn)品家族與前一代產(chǎn)品相比，通常可使能源效率提高1%至1.3%。這種提升幅度看似不大，但從技術(shù)的角度講是很難實(shí)現(xiàn)的，它可以實(shí)現(xiàn)很大的節(jié)能量。如果全球1,200W服務(wù)器供電系統(tǒng)的能效都提高1%，全年即可節(jié)省約360兆瓦的電量，相當(dāng)于一個傳統(tǒng)發(fā)電廠的發(fā)電量。

　　OptiMOS3產(chǎn)品家族能幫助電源設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)未來系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功率要求，而且有助于節(jié)能，提升能效，改善開關(guān)特性，提高功率密度，增強(qiáng)可靠性，提高電源解決方案的性能和能效，降低成本。

　　借助OptiMOS3的出色特性，電源制造商只需利用較少的器件，即可獲得理想性能，使直流/直流轉(zhuǎn)換器通常所需的MOSFET數(shù)量降低33%。英飛凌還為該器件采用了全新的高性能Shrink SuperSO8(S3O8) 3mm X 3mm 封裝，這將使轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中所需的MOSFET板載空間減小60%。

　　除了可開發(fā)小型直流/直流轉(zhuǎn)換器之外，OptiMOS3器件還可用于提高給定標(biāo)準(zhǔn)尺寸的電源的輸出功率。此外，OptiMOS3還可延長筆記本電池的使用壽命，降低服務(wù)器和電信系統(tǒng)的能耗。

　　與業(yè)界領(lǐng)先的OptiMOS 2相比，全新的OptiMOS 3 在多個方面都實(shí)現(xiàn)了重大改進(jìn)，包括導(dǎo)通電阻降低30%，優(yōu)值系數(shù)提高30%，同時(shí)與OptiMOS 2相比封裝（S308）尺寸減小了60%的情況下仍然可以提供類似的性能。

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編輯：Sepnova

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