信息類型：跳蚤市場(chǎng) 　　 所屬類別：測(cè)試儀器
地區(qū)城市：陜西省 －西安 更新時(shí)間：2015-4-21 17:17:23
聯(lián) 系 人： 楊 有效期限：2016-4-20 11:14:20
公司名稱：西安誼邦電子科技有限公司
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　　                          YB6600大功率晶體管圖示系統(tǒng)
　　目前市場(chǎng)上用于來(lái)料檢測(cè)IGBT，IPM，MOS等功率的分立器件測(cè)試儀器多是在特定條件下測(cè)試某一點(diǎn)的特性，不能直觀了解器件在條件范圍內(nèi)各點(diǎn)的特性，在做測(cè)試、分析時(shí)非常不方便；圖示儀在測(cè)試、分析方面有優(yōu)勢(shì)，但測(cè)試速度慢，在來(lái)料檢測(cè)時(shí)用處不大，結(jié)合以上情況，為了滿足所有客戶群體的需求，我公司推出YB6600功率半導(dǎo)體圖示系統(tǒng)。yb6600測(cè)試主機(jī)配合yb6000軟件使用，可自動(dòng)生成功率器件的i-v曲線，yb6600是一款很具有代表性的晶體管圖示儀。YB6600分立器件圖示儀適用于研究所、院校、軍工企業(yè)、電子產(chǎn)品廠家，iqc來(lái)料檢驗(yàn)，失效分析等部門有廣泛的應(yīng)用，可繪制半導(dǎo)體特性曲線，用做測(cè)試晶體管的直流參數(shù)，（特性測(cè)試、圖示二合一）結(jié)果可以保存為ｔｘｔ＼ｘｌｓ＼ｂｍｐ三種數(shù)據(jù)格式。
　　YB6600分立器件圖示儀符合《JJF 1236-2010 半導(dǎo)體管圖示儀校準(zhǔn)規(guī)范》和《GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》，可儀繪制13類器件32種曲線。
　　一、YB6600分立器件圖示儀特點(diǎn)
　　1.  曲線基于計(jì)算機(jī)顯示
　　2.  多種器件的多種曲線
　　3.  數(shù)據(jù)點(diǎn)是可控的
　　4.  增量可以是線性或?qū)��?shù)
　　5.  可控的關(guān)斷時(shí)間，以減小器件發(fā)熱
　　6.  可保存和調(diào)用曲線程序
　　7.  保存和調(diào)用先前捕獲的曲線圖片
　　8.  完全自動(dòng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到excel
　　9.  預(yù)置最大電壓和最大電流限制防止器件損壞和發(fā)熱
　　10. 存儲(chǔ)/調(diào)用測(cè)試程序
　　11. 多樣的連續(xù)曲線
　　12. 在測(cè)試程序中的電流限制
　　13. 使用方便
　　①選擇曲線  ②輸入范圍  ③按下啟動(dòng)
　　14. 使用高速ATE系統(tǒng)生成曲線
　　二、YB6600分立器件圖示儀系統(tǒng)指標(biāo)
　　 a-k 極間加壓范圍:  ±2.500mv--2000v  
　　 a-k 極間測(cè)流范圍:  ±100pa--49.90a      
　　 a-k 極間加流范圍:  ±100na--49.90a   
　　 a-k 極間測(cè)壓范圍:  ±2.500mv--2000v 
　　 g-k 極間加壓范圍:  ±2.500mv--20v   
　　 g-k 極間測(cè)流范圍:  ±100pa--10a        
　　 g-k 極間加流范圍:  ±100na--10a      
　　 g-k 極間測(cè)壓范圍:  ±2.500mv--20v
　　 a-k 極間加/測(cè)壓精度:  1%+10mv
　　 a-k 極間加/測(cè)流精度:  1%+10na+20pa/v
　　 g-k 極間加/測(cè)壓精度:  1%+5mv
　　 g-k 極間加/測(cè)流精度:  1%+10na+20pa/v
　　 電參數(shù)測(cè)試重復(fù)性：  2%
　　 最大電壓分辨率:  1mv
　　 最大電流分辨率:  0.1na

　　三、YB6600分立器件圖示儀可實(shí)現(xiàn)曲線（13類器件32種曲線）
　　1、mosfet（n-channel＆p- channel）（金屬-氧化物-半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管）
　　id vs vds (在vgs范圍內(nèi))
　　id vs vgs (在一個(gè)固定的id)
　　is vs vsd
　　rds vs vgs (在一個(gè)固定的vds)
　　rds vs id (在vgs范圍內(nèi))
　　2、晶體管（transisitor）
　　hfe vs ic
　　bvce(o.s.r.v) vs ic
　　bvebo vs ie
　　bvcbo vs ic
　　vce(sat）(在一定的ic/ib比率)
　　vce(sat) vs ib（在ic的范圍內(nèi)）
　　vbe(sat) vs ib (在一定的ic/ib比率)
　　vbe(on) vs ic (在一定的vce)
　　3、igbt（n-channel＆p- channel）（絕緣柵雙極晶體管）
　　ic vs vce (在vge范圍內(nèi))
　　ic vs vge (在一定的vce)
　　ices vs vce
　　if vs vf
　　4、diode (二極管)
　　if vs vf
　　ir vs vr
　　5、zener (穩(wěn)壓管)
　　if vs vf
　　ir vs vr
　　6、triac (雙向可控硅)
　　it vs vt(+/-)  (在一個(gè)固定的ig)
　　7、scr (單項(xiàng)可控硅)
　　it vs vtm (在一個(gè)固定的ig)
　　8、ssvop（固態(tài)過壓保護(hù)器）
　　it vs vt(+/-)  (在一個(gè)固定的ibo)
　　9、sidac（高壓觸發(fā)二極管）
　　it vs vt(+/-)  (在一個(gè)固定的ibo)
　　10、diac(雙向觸發(fā)二極管)
　　id vs vf(+/-)
　　11、regulator(穩(wěn)壓器)
　　electronic load vs v out(在一個(gè)固定最大電流)
　　12、j-fet(（n-channel＆p- channel）) (結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
　　id(off) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
　　id(off) vs vgs（在一個(gè)固定的vds）
　　id(on) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
　　id(on) vs vgs（在一個(gè)固定的vds）
　　13、curve tracer mode only(曲線跟蹤模式)
　　ic vs vce（在一個(gè)固定的ib）